나노기술 및 정책 정보

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국일제지 자회사인 국일그래핀이 지난해 ‘무전사식그래핀층의 형성 방법’의 특허에 이어 ‘대면적 그래핀 박막 in-situ 제조방법’으로 특허를 취득함. 특허기술은 기판 상에 결정성이 우수한 고품질의 그래핀층을 저온에서 대면적으로 용이하게 형성할 수 있는 대면적 그래핀 박막의 in-situ 제조방법, 이를 이용한 소자의 제조방법에 관한 것임. 베이스 기판의 투명도와 전기적 특성을 변화시키지 않고 기판 상에 무결점 단일 결정의 그래핀 박막을 대면적으로 직접 성장시킬 수 있어 양질의 그래핀 전자 소자를 제조하는 데에 이용될 수 있음. 회사 관계자는 ‘국일그래핀은 이미 비전사 저온 4인치 웨이퍼그래핀 박막 제조를 성공했고 현재 8인치 웨이퍼그래핀 박막 제조를 위한 설비를 제작 중에 있다’며 ‘충남대와 함께 산학협업으로 8인치 웨이퍼 그래핀 박막 제조기술을 완성시킬 예정’이라고 전함