나노기술 및 정책 정보

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한국과학기술연구원(KIST) 스핀융합연구단 구현철 박사 연구팀은 초고속 반도체 채널만으로 스핀을 생성, 제어, 감지하는 새로운 스핀트랜지스터를 개발함. 연구팀은 기존 스핀트랜지스터 구동에 필요했던 자기장과 자성체를 모두 제거하고 인듐아세나이드(InAs) 반도체 채널만으로 이루어진 스핀트랜지스터를 개발함. 연구팀은 이 스핀트랜지스터가 절대온도 1.8K(영하 271.2℃)에서 구동될 때 스핀 신호가 강자성체와 반도체를 이용한 기존 스핀트랜지스터보다 100배 이상 강하다는 것을 확인함. 연구팀은 이번 결과가 반도체 자체에서 스핀을 생성시키는 새 패러다임을 제시해 스핀트랜지스터 실용화에 크게 기여할 것으로 기대함

※ Nano Letters 게재

※ 삼성전자 미래기술육성센터 지원사업, KIST 기관고유사업 지원