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싱가포르국립대학교 전기전자컴퓨터학과 양현수 교수와 고려대학교 신소재공학과 이경진 교수 연구팀은 코발트와 터븀 원자를 한 층씩 쌓아 만든 다층막 자성소재를 이용해 저전력으로 고속스위칭이 가능한 자성메모리를 만드는 데 성공함. 연구팀은 코발트와 터븀 원자를 한층씩 교차해 쌓아 두께 10㎚ 정도의 두꺼운 페리자성 다층막을 만듦. 이렇게 만든 반강자성 스핀 배열을 갖는 페리자성 다층막에서는 전류가 소재 표면에서 소실되지 않고 두꺼운 막 전체에 걸쳐 유지된다는 것을 양자역학적 이론 연구와 실험을 통해 규명함. 실험 결과 이 소재는 기존 소재보다 스핀의 스위칭 효율이 20배 정도 높은 것으로 확인됨. 연구팀은 이 신소재를 차세대 메모리로 주목받는 스핀토크 기반 자성메모리에 적용하면 스핀토크 효율을 높이고 초고집적이 가능해 스핀토크 자성메모리 시장 확대에 기여할 것으로 기대함

※ Nature Materials 게재

※ 과학기술정보통신부 미래소재디스커버리사업·중견연구자사업, 한국과학기술연구원 Joint Research Lab 사업, 삼성전자 미래기술육성사업, 싱가포르 정부과제 지원