나노기술 및 정책 정보

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  ETRI 융합부품소재연구소 최성율 (崔成 , 39) 박사팀이 카이스트 신소재공학과 이정용 교수팀과 공동으로 이산화 티타늄 (TiO2)박막을 이용하여 구부릴 수 있는 비휘발성 메모리 기술을 개발했다.
  스마트폰이나 MP3 플레이어 등에는 플래시 메모리라는 비휘발성 메모리 칩이 들어 있어 필요한 정보를 언제 어디서나 손쉽게 사용할 수 있다. 그러나 플래시 메모리는 실리콘을 기반으로 한 고체 소자이고 용량을 늘리기 위해서 값비싼 공정기술을 사용해야 한다. 반면 최성율 박사팀에서 개발한 저항 메모리는 소자 구조가 간단하여 저가격으로 제작할 수 있고, 저온 공정을 사용하기때문에 플라스틱 기판 등에 제작하여 쉽게 구부릴 수 있는 장점을 가지고 있다.
  특히 이번 연구를 통해 개발된 저항변화 메모리 기술은 저온에서 성장이 가능한 이산화 티타늄 나노박막의 계면을 제어하여 모든 종류의 금속 전극을 활용하여 동일한 특성을 보이는 메모리를 만들 수 있는 방법을 제시함으로써 다양하고 향상된 비휘발성 메모리를 개발할 수 있는 가능성을 높여 주고 있다.
  그 동안 최성율 박사팀은 이산화티타늄 박막을 이용한 저항 메모리를 연구하여 Applied Physics Letters, Nanotechnology 등 저명학술지에 10여편, 국내외 학술 발표 10편, 국내/국제 특허 13건을 발표하였다.

  이번 연구는 ETRI 최성율박사, 카이스트 정후영 박사과정생에 의해 주도적으로 이루어졌으며 연구결과는 세계적인 재료공학분야 학술지인‘Advanced Functional Materials 지’9월호 온라인 판에 게재될 예정이다. 본 연구는 지식경제부에서 지원한“차세대 휘발성 메모리 기술개발 사업 (사업단장 한양대학교 박재근 교수)”의 일환으로 개발되었다.