나노기술 및 정책 정보

• 목록

● 김호성 박사(한국전자통신연구원) 및 금대명 교수(충북대) 공동 연구팀은 유기화학기상증착장비(MOCVD) 시스템을 이용하여 양자점 레이저를 대량으로 생산할 수 있는 기술을 개발

● 연구팀은 MOCVD를 이용하여 갈륨비소(GaAs) 기판 위에서 광통신용 1.3μm 파장 대역을 활용할 수 있는 인듐비소/갈륨비소(InAs/GaAs) 양자점 레이저 다이오드 개발에 성공

● 연구팀이 개발한 양자점 제조 기술은 양자점의 높은 밀도 및 균일성을 가지고 있으며, 개발한 양자점 반도체 레이저는 최대 75℃까지 연속 동작이 가능

● 본 연구 결과는 고가의 광통신 소자의 생산 단가를 낮출 수 있어 국가 광통신 부품 산업의 경쟁력 강화뿐만 아니라 기초과학 연구 분야에도 이바지할 것으로 기대

Journal of Alloys and Compounds (2024.02.10.), High-temperature and continuous wave-operation of all-MOCVD grown InAs/GaAs quantum dot laser diodes with highly strained layer and low temperature p-AlGaAs cladding layer