나노기술 및 정책 정보

- CPU, 메모리 적용 시 에너지 절감 年 7,480억원?329만톤의 CO2배출저감 효과 기대 - 
□ 고가의 반도체 기판 대신 저렴한 유리기판이나 플렉서블(flexible) 플라스틱 기판에도 적용이 가능하고, 3低(초저가?초저전력?초 저탄소) CPU를 실현할 수 있는 나노집적소자 원천 기술이 국내연구진에 의해 세계 최초로 개발되었다.
 

 ○ 교육과학기술부(장관 안병만)는 KAIST(총장 서남표) 전기 및 전자 공학과 윤준보 교수팀과 나노종합팹센터(소장 이희철)간 공동연구를 통하여 세계에서 가장 작은 이격거리를 가지는 “20nm갭 기계식 나노집적소자(3단자 나노전자 기계스위칭소자)”를 세계 최초로 개발하는데 성공했다고 밝혔다.
 

□ 반도체로 만들어진 기존의 CPU는 반도체 특성을 활용하여 전기신호의 차폐를 제어함으로써 PC내에서 평균적으로 3.2W의 대기전력을 소모하고 있다. 업무용 PC 보급대수와 대기시간을 각각 1000만 대와 14시간으로 가정하면 대기전력은 년 163,520 MWh로 계산된다. 고리원자력발전소 1호기의 발전량(2007년 총 발전량 2,254,988 MWh) 7%에 해당하는 전력량이다.
 

○ 이에 윤준보 교수팀은 나노종합팹의 첨단 장비?시설 등 인프라와 나노 전자기계 기술(Nano Electro Mechanical System, NEMS)을 적용하여, 트렌지스터와 동일한 역할을 수행하면서도 누설전류를 원천적으로 차단한 新개념 전자소자인 ‘기계식 나노집적 소자’를 개발했다.
 

 ○ 본 소자의 핵심원리는 질화티타늄(TiN)으로 만든 3차원 나노구조물의 기계적인 움직임을 통해 기계적인 이격정도의 차이로 전기신호를 제어한다는 것이다. 대기 상태에서 누설전류를 원천적으로 차단하는 원리를 가지기 때문에, 이를 CPU에 적용하면 1W 미만의 대기전력을 가지는 CPU개발이 앞당겨 질 것으로 기대를 하고 있다.

○ 또한, 저온 공정이 가능하기 때문에 기존의 반도체 회로 상부에 3차원으로 적층형 집적이 가능하고, 기존의 반도체를 만들던 단결정 실리콘보다 훨씬 저렴한 유리 기판이나 휘어지는 플라스틱 기판에서도 전자 스위치 소자를 형성할 수 있어, 초저가?초고성능?초저전력의 전자 회로를 만들 수 있다는 데 특징이 있다.

○ 그리고, 무엇보다도 세계 최고 수준의 나노종합팹센터의 첨단 반도체 설비와 공정을 그대로 활용하여 본 소자의 핵심인 초미세 나노패턴 형성과 희생박막 형성 기술을 연구?실증했기 때문에, 상용화 실현 가능성이 매우 높다는 데 의의가 크다.

□ 개발된 기계식 나노집적소자를 활용하여 대기전력 1W이하의 저전력 PC를 실현함으로써 기대되는 에너지 절감효과는 2010년 1,100GWh/년(1,210억원), 2020년 6,800GWh/년(7,480억원)에 이르고 각각 53만톤, 329만톤의 이산화탄소 배출량 억제효과를 가져올 수 있을 것으로 보인다.

 ○ 또한, 기계식 나노집적소자의 시장 점유율을 전체 반도체 시장의 0.1%로만 잡더라도 시장규모가 2015년 3천 6백억원에 이를 것으로 전망하고 있다. 우주항공 장비와 통신용 소자 및 바이오소자 응용 등 관련 산업에 미치는 파급효과까지 고려하는 경우 그 경제적 부가가치는 매우 클 것으로 기대된다.

□ 이번 연구결과는 12월 7일 미국 볼티모어에서 개막되는 국제 학술  회의인 “국제전자소자회의(International Electron Device Meeting, IEDM)”에서 발표될 예정으로 지난 50년간 반도체 소자를 이용하여 만들어 오던 초고집적회로(VLSI)에서 CMOS 반도체 소자가 극복 할 수 없었던 재료와 성능의 한계들을 극복할 수 있는 새로운 가능성을 제시했다는 것에 의미가 있다.

 ○ 한편, 해당 기술과 관련하여 미국에 1건이 특허 등록되었으며    미국, 중국, 유럽, 일본 등에 4건의 후속 특허가 출원되어 있다.   국내에는 8건의 관련 특허 등록과 2건의 특허가 출원되어 있다.

□ 나노종합팹센터 이희철 소장은 “나노전자 기계소자를 이용한 집적회로 기술은 2008년에서야 ITRS(세계반도체협회) 로드맵에 등재될 정도로 차세대 기술이며, 우리 기술진의 개발수준이 미국의 스탠포드대, UC버클리대학의 연구수준을 뛰어넘는 결과로 이번 기술  개발이 포스트-반도체 기술력을 선점할 수 있는 중요한 디딤돌이 될 것”이라고 내다보고 있다.

□ 또, 연구개발에 주도적으로 참여한 이정언 박사과정은 “공동연구   개발을 통하여 얻은 기술은 실용화와 상용화를 목적으로 하고 있으며, 기술정보, 연구인력, 노하우 등 연구결과를 산업체에 제공하여   향후에 우리나라가 세계 차세대 반도체 시장에서 유리한 입지를   확보하는데 기여하고 싶다”고 앞으로의 계획을 밝혔다.

<자료문의> ☎ 02-2100-6837, 미래원천기술과장 최원호, 사무관 정재욱 

                  ☎ 042-350-3476, KAIST 전기및전자공학과 윤준보 교수

                  ☎ 042-879-9511 나노종합팹센터 강희오 선임연구원