나노기술 및 정책 정보

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● SK하이닉스는 10나노급 6세대 D램을 업계 최초로 7세대 고대역폭메모리(HBM4E)에 적용하여 기존 계획보다 1년 앞당긴 2026년 양산을 계획

● SK하이닉스는 HBM 기술 로드맵에서 4세대(HBM3) 제품까지는 2년 주기로 개발되었지만, 2024년 5세대(HBM3E) 제품 이후 1년 주기로 단축되고 있음을 강조

● 이어 SK하이닉스는 HBM4 이후에 HBM 제조에 활용하고 있는 MR-MUF*을 한 단계 업그레이드한 공정인 하이브리드 본딩** 공정이 적용할 수 있음을 시사

* MR-MUF(Mass Reflow-Molded UnderFill) : MR(대량의 범프를 한 번에 녹여 칩을 잇는 기술)과 MUF(칩을 보호하기 위해 칩 사이와 칩 주변 등 외부에 보호재를 씌우는 기술)을 합친 다수의 칩을 적층할 때 한 번에 포장하는 기술

** 하이브리드 본딩(Hybrid Bonding) : 칩 사이의 가교 역할을 하는 범프를 없애는 기술로, HBM의 두께를 획기적으로 줄이면서 더 많은 D램을 적층하는 데 도움

● SK하이닉스는 생성형 AI의 급격한 발전으로 기존 HBM보다 더 큰 용량과 속도가 필요해진 상황에서, HBM 생산 시점을 앞당겨 차세대 기술을 선제적으로 확보하는 등 빅테크 고객사의 요구를 충족하기 위한 노력을 지속할 전망