나노기술 및 정책 정보

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● SK하이닉스 및 대만 TSMC는 2026년 양산 예정인 HBM4(6세대 HBM)의 개발 협력을 위한 양해각서(MOU)를 체결하고, 고객-파운드리-메모리로 이어지는 3자 간 기술 협업을 바탕으로 메모리 성능의 한계 돌파를 계획

● 양사는 HBM* 패키지 내 최하단에 탑재되는 베이스 다이(Base Die)**의 성능 개선 착수

* HBM(High Bandwidth Memory) : 베이스 다이 위에 D램 단품 칩인 코어 다이(Core Die)를 쌓아 올린 두 이를 TSV(Through Silicon Via) 기술로 수직 연결해 제작

** 베이스 다이(Base Die) : 그래픽처리장치(GPU)와 연결되어 HBM을 컨트롤하는 역할 수행

● SK하이닉스는 5세대인 HBM3E까지는 자체 공정으로 베이스 다이를 만들었으나, HBM4부터는 로직(Logic) 선단 공정을 활용할 계획

● 또한, SK하이닉스의 HBM과 TSMC의 CoWoS(Chip on Wafer on Substrate) 기술 결합을 최적화하기 위해 협력하고, HBM 관련 고객 요청에 공동 대응할 전망