나노기술 및 정책 정보

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● 이가영 교수(한국과학기술원) 연구팀은 실리콘의 전자 이동도와 포화 속도를 2배 이상 뛰어넘는 2차원 나노 반도체 인듐 셀레나이드(InSe) 기반 고이동도, 초고속 2차원 반도체 소자를 개발

● 2차원 인듐 셀레나이드는 대기 중에서 산화에 취약하고 안정성이 떨어져 고성능 소자 개발이 어려웠지만, 연구팀은 하부 절연막으로 고품질 2차원 육각형질화붕소(hBN) 물질을, 상부 보호막으로는 얇은 인듐 금속을 활용하여 안정성과 성능을 개선

● 또한 연구팀은 핵심 채널층인 인듐 셀레나이드를 오염시키지 않고 2차원 이종접합 구조를 형성할 수 있도록 해 전자 이동도와 전자 포화 속도를 대폭 향상

● 본 연구에서 개발한 전자 소자는 저온으로 갈수록 소자의 성능이 대폭 개선돼 양자 컴퓨터의 양자 제어 IC(Integrated Circuit)와 같이 극저온 고주파수 구동 환경에 적합하며, 초고속 구동이 가능해 5G 대역을 넘어 6G 주파수 대역에서의 동작이 가능할 것으로 예측

ACS Nano (2024.03.07.), High-Field Electron Transport and High Saturation Velocity in Multilayer Indium Selenide Transistors