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나노기술 및 정책 정보

삼성전자·SK하이닉스, 내년 D램 투자 확대 전망… HBM, 10나노 이하 시대 준비

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발행기관
조선비즈
저자
 
종류
산업
나노기술분류
나노정보전자
발행일
2023-11-21
조회
713

본문

● 삼성전자와 SK하이닉스는 올해 내내 이어졌던 D램 감산 기조를 사실상 내년부터 정상화하여 당초 올해 대비 10% 이상 투자 규모를 줄이기로 했던 기존 방침에서 벗어나 설비투자도 2% 수준에서 늘릴 것으로 관측

● 시장조사업체 옴디아는 삼성전자, SK하이닉스, 마이크론 등 D램 주요 제조사들이 대부분의 설비투자 자금을 10나노대 초반에서 10나노 이하로 공정전환을 앞당기는 데 사용할 것으로 내다봤으며, 특히 생성형 AI의 등장과 함께 폭발적으로 수요가 증가하고 있는 HBM 제품에 탑재되는 D램 공정 고도화에 투자 역량을 집중할 것으로 분석

● 삼성전자와 SK하이닉스는 AI, 고성능 컴퓨팅 시장 성장에 대응하는 고성능·고용량 메모리 생산 라인 확대에 집중할 예정

● 삼성전자는 최근 챗GPT 등 생성형 AI 시대에서 주목받는 HBM 생산능력을 내년까지 현재의 2.5배 수준으로 늘릴 계획이며, SK하이닉스도 프리미엄 제품 위주로 설비투자에 집중할 방침