나노기술 및 정책 정보

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● 홍영준 교수 및 홍석륜 교수(세종대) 연구팀은 기판 손상이 없는 질화갈륨 화합물 반도체 성장 및 박리방법을 개발

● 연구팀은 화학결합을 필요로 하지 않는 ‘원격 에피성장법’을 이용하여 그래핀이 코팅된 질화갈륨 기판상에서 질화갈륨 반도체층을 성장시킨 후에 일반 테이프로도 쉽게 분리할 수 있는 기술을 도출

● 연구팀은 그래핀이 코팅된 질소-극성 질화갈륨 기판이 섭씨 1,000도 이상의 고온, 수소, 암모니아 분위기에서도 열화학적 안정성이 탁월하다는 것을 발견하고 안정성의 원리를 규명한 후, 이를 바탕으로 유기금속 화학기상증착법으로 테이프로도 분리 가능한 질화갈륨 원격 에피성장 방법을 개발

● 본 연구 성과는 향후 여러 종류의 반도체 에피층을 모으고 수직으로 쌓아서 다기능의 올-인-원 이종집적칩을 만들 수 있는 기술적 토대가 될 것으로 기대

ACS Nano (2023.10.16.), Exceptional Thermochemical Stability of Graphene on N-Polar GaN for Remote Epitaxy