삼성전자·SK하이닉스, 내년 D램 투자 확대 전망… HBM, 10나노 이하 시대 준비
페이지 정보
- 발행기관
- 조선비즈
- 저자
- 종류
- 산업
- 나노기술분류
- 나노정보전자
- 발행일
- 2023-11-21
- 조회
- 710
본문
● 삼성전자와 SK하이닉스는 올해 내내 이어졌던 D램 감산 기조를 사실상 내년부터 정상화하여 당초 올해 대비 10% 이상 투자 규모를 줄이기로 했던 기존 방침에서 벗어나 설비투자도 2% 수준에서 늘릴 것으로 관측
● 시장조사업체 옴디아는 삼성전자, SK하이닉스, 마이크론 등 D램 주요 제조사들이 대부분의 설비투자 자금을 10나노대 초반에서 10나노 이하로 공정전환을 앞당기는 데 사용할 것으로 내다봤으며, 특히 생성형 AI의 등장과 함께 폭발적으로 수요가 증가하고 있는 HBM 제품에 탑재되는 D램 공정 고도화에 투자 역량을 집중할 것으로 분석
● 삼성전자와 SK하이닉스는 AI, 고성능 컴퓨팅 시장 성장에 대응하는 고성능·고용량 메모리 생산 라인 확대에 집중할 예정
● 삼성전자는 최근 챗GPT 등 생성형 AI 시대에서 주목받는 HBM 생산능력을 내년까지 현재의 2.5배 수준으로 늘릴 계획이며, SK하이닉스도 프리미엄 제품 위주로 설비투자에 집중할 방침
- 이전글KBSI-한양대 공동 연구팀, 집에서 간편하게 급성 염증·감염 체크하는 ‘슬립칩’ 개발 23.11.30
- 다음글정유·화학 기업, 폐플라스틱 재활용 사업에 속도 23.11.30