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나노기술 및 정책 정보

세종대-서울대-성균관대-코넬대-MIT 공동 연구팀, 반도체 원격 에피성장기술 원리 규명

페이지 정보

발행기관
뉴시스
저자
 
종류
R&D
나노기술분류
나노정보전자
발행일
2023-10-31
조회
627

본문

● 홍영준 교수(세종대) 및 장소연 교수(서울대), 김동환 교수(성균관대), 데렐 쉴롬 교수(미국 코넬대), 김지환 교수(MIT) 국제 공동 연구팀은 성장 후 기판에서 쉽게 분리가 가능한 반도체 원격 에피성장 기술의 원리를 규명

● 연구팀은 원격 에피성장 초기단계의 수 나노미터 크기의 에피결정을 투과전자현미경으로 관찰해 미세결함이 전혀 없는 그래핀 영역에서도 원격 에피성장을 위한 핵생성이 시작되고 에피층으로 성장되는 것을 확인했으며, 규칙적인 미세결함 패턴이 형성된 다층그래핀 기판을 활용해 미세결함을 통한 측면성장 에피택시법으로는 단결정 에피층 성장이 불가능함을 입증

● 연구팀은 그래핀을 한층 한층 적층해 미세 결함을 보완하는 방식으로도 원격 에피택시가 가능함을 밝혔고, 동일한 품질의 그래핀이 코팅된 다양한 기판에서 성장 온도를 조절하면 원격 에피택시의 핵생성 밀도가 변화한다는 실험을 통해 미세결함이 아닌 기판과 원격 에피 상호작용이 실재함을 입증


Science Advances (2023.10.20.), Remote epitaxial interaction through graphene