UNIST, 2차원 물질 기반 고성능 p형 반도체 소자 개발
페이지 정보
- 발행기관
- UNIST
- 저자
- 종류
- R&D
- 나노기술분류
- 나노정보전자
- 발행일
- 2023-08-24
- 조회
- 591
- 출처 URL
본문
● 권순용 교수 및 이종훈 교수(울산과학기술원) 연구팀은 몰리브덴 텔루륨화 화합물반도체(MoTe2)를 이용한 고성능 p형 반도체 소자를 제작하는 데 성공
● 연구팀은 화학적 반응으로 박막을 만드는 화학기상증착법(CVD)을 통해 4인치의 큰 면적에서 소자를 합성할 수 있는 기술을 개발했으며, 이를 기반으로 2차원 반금속에 3차원 금속을 증착했을 때 일함수가 조절되는 점을 활용해 고성능 p형 트랜지스터를 제작
● 연구팀은 합성 온도와 시간을 조절해 4인치 크기의 반도체 박막을 고순도로 합성했으며, 반금속 박막에 상변이를 돕는 반도체 시드(seed)를 옮긴 후 500도 이하의 저온으로 합성하면 시드의 결정 모양대로 고품질의 반도체가 형성된다는 것을 확인
● 개발된 2차원 소재는 차세대 상보형 금속산화반도체(CMOS) 산업에 적용돼 집적화 향상에 기여할 수 있을 것으로 기대
Nature Communications (2023.08.07.), Fabrication of p-type 2D single-crystalline transistor arrays with Fermi-level-tuned van der Waals semimetal electrodes
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