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나노기술 및 정책 정보

연세대, 차세대 초격자 상변화 메모리(Advanced iPCM) 개발

페이지 정보

발행기관
연세대학교
저자
 
종류
R&D
나노기술분류
나노정보전자
발행일
2023-08-30
조회
601

본문

● 조만호 교수(연세대) 연구팀은 차세대 초격자 상변화 메모리(Advanced iPCM)를 개발

● 연구팀은 우수한 상변화 특성으로 잘 알려진 게르마늄텔루라이드(GeTe)와 안티몬텔루라이드(Sb2Te3) 층이 초격자 구조를 이루고 있는 기존 계면 상변화 메모리(iPCM)에서 한 단계 발전시켜, 초격자 구조의 안티몬텔루라이드(Sb2Te3) 층에 티타늄(Ti) 원소를 선별적으로 치환하는 방식으로 메모리 소자에 획기적 개선이 가능함을 규명

● 연구팀은 티타늄(Ti) 원소를 안티모니(Sb) 원소로 선별적으로 치환해 기존 초격자 상변화 메모리보다 우수한 동작 특성이 확보된 차세대 초격자 상변화 메모리 개발에 성공했으며, 동작 속도 및 반복 측정 신뢰도 등에서 기존 초격자 상변화 메모리보다 우수한 특성과 특히, 스위칭 에너지에서 기존 상변화 메모리 특성을 넘어서는 초저전력 동작을 확보

● 본 연구 결과는 장기간 정체돼 있던 초격자 상변화 메모리의 후속 개발 방법론을 확보했을 뿐만 아니라, 기존 상변화 특성 외에도 PIM 및 딥러닝 연산 등을 수행하는 크로스바 어레이구조 등에 적용 가능한 차세대 비휘발성 멤리스터로의 활용 가능성도 제시


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