UNIST-홍익대 공동 연구팀, 이차원 반도체 핵심공정기술 국산화 성공
페이지 정보
- 발행기관
- 헤럴드경제
- 저자
- 종류
- R&D
- 나노기술분류
- 나노공정·분석·장비
- 발행일
- 2023-08-01
- 조회
- 605
- 출처 URL
본문
● 서준기, 정후영 교수(울산과학기술원) 및 송봉근 교수(홍익대) 공동 연구팀은 원자층 증착법(Atomic layer deposition, ALD)으로 50도의 저온에서 텔레륨 원자가 규칙적으로 배열되는 박막 증착 공정법을 개발
● 연구팀은 전자소자나 열전소재 등의 다양한 분야에서 연구 중인 단일 원소 원자층 반도체 ‘텔레륨(Tellurium)’에 원자층 증착법을 적용하여 열처리 공정 없이도 50도의 저온에서 고품질의 박막을 성공적으로 제조
● 연구팀은 낮은 온도에서 반응성을 향상시키기 위해 산-염기성을 갖는 두 가지의 전구체 화학반응을 통해 특정 물질을 제조하기 위해 사용되는 화학 원료를 활용하여 밀도가 낮고 불연속적인 알갱이가 증착되는 기존 방식에 비해 촘촘하고 밀도 높은 박막을 성공적으로 제조
● 본 연구는 저온/대면적/고품질 합성이라는 반도체 증착 공정에서 요구되는 모든 조건을 만족시킬 수 있었으며, 전통적인 증착법에 새로운 공정 요소들을 더해 ‘비전통적인’ 이차원 신소재 및 신소자 구현에 성공했다는 점에서 다양한 응용 연구가 가능할 것으로 기대
ACS Nano (2023. 07. 11.), Atomic Layer Deposition Route to Scalable, Electronic-Grade van der Waals Te Thin Films
- 이전글아주대, 차세대 무기물 소재 안정적 제어 방법 개발 23.08.08
- 다음글UNIST, 가시광선 영역 박막형 원편광 광원 개발 23.08.08