SK하이닉스, HBM 생산효율 8.8배로 HBM 독주
페이지 정보
- 발행기관
- 중앙일보
- 저자
- 종류
- 산업
- 나노기술분류
- 나노정보전자
- 발행일
- 2024-10-06
- 조회
- 59
- 출처 URL
본문
● SK하이닉스는 실리콘밸리에서 TSMC가 주최한 ‘OIP 에코시스템 포럼 2024’에 참석하여 ‘TAT* 8.8대 1’이라는 정보를 공개
* TAT(Turn Around Time) : 실리콘 웨이퍼(반도체 원판)를 투입해 공정을 거쳐 완성된 칩 모양으로 나올 때까지의 소요 시간
● 해당 정보는 SK하이닉스가 HBM을 만드는 데 1시간이 걸린다고 가정하면 나머지 회사들은 8.8시간이 걸리는 것이라는 뜻이며, 쉽게 말하면 SK하이닉스의 HBM 생산효율이 8.8배 뛰어나다는 것을 의미
● 반도체 업계에서는 D램을 미리 쌓은 뒤 일종의 오븐에 넣어 한 번에 굽는 방식으로 HBM을 만드는 SK하이닉스의 방식이 당초 예상보다 큰 격차를 벌리기 시작한 것으로 분석
● SK하이닉스는 이날 발표에서 다음 세대 HBM4 12단·16단 제품에서도 기존 MR-MUF 방식을 계속 사용한다는 방침을 재확인
- 이전글삼성, 10나노 6세대 D램 첫 수율 확보 24.10.16
- 다음글경남 밀양, ‘제11회 나노융합산업전’ 개최 24.10.16