건국대, 동일 강유전체 전해질 내 전기화학적 금속화에 기반한 문턱/메모리 스위칭 멤리스터 구현
페이지 정보
- 발행기관
- Springer Nature
- 저자
- 종류
- R&D
- 나노기술분류
- 나노정보전자
- 발행일
- 2023-05-26
- 조회
- 583
- 출처 URL
본문
● 박배호 교수(건국대) 연구팀은 동일 강유전체 PZT(PbZr0.52Ti0.48O3 ) 전해질로 구성돼 있고 뉴런 거동과 시냅스 거동을 모두 유지할 수 있는 전기화학적 금속화(electrochemical metallization, ECM) 소자를 개발
● 연구팀이 개발한 Ag/PZT/LSMO(La0.8Sr0.2MnO3) 문턱 스위칭 멤리스터는 급격하고 휘발성을 띠는 저항변화 특성을 보여 확률적 축적-발화(integration & fire) 거동, 자동복구, 급속연산 기능을 갖춘 뉴런 소자를 구현
● 반면, Ni/PZT/LSMO 메모리 스위칭 멤리스터는 점진적이고 비휘발성을 띠는 저항변화 특성을 보여 높은 ON/OFF 신호비율(on/off ratio), 낮은 ON 상태 전류, 낮은 변동성, 발화시간 기반 가소성을 갖춘 시냅스 소자를 구현
● 본 연구의 ECM 소자의 이질적 거동은 초박 강유전체 PZT를 통한 양이온 이동 제어의 개선을 통해 달성한 성과로, 동일 강유전체 전해질로 구성된 ECM 소자는 고성능 뉴로모픽 컴퓨팅 시스템 개발에 기초적인 역할을 할 것으로 기대
npg asia materials (2023.05.26.), Implementation of threshold- and memory-switching memristors based on electrochemical metallization in an identical ferroelectric electrolyte
- 이전글충남대, 나노초레이저 활용 LIPSS 패턴 구현 및 유연기판 상 전사 기술 개발 23.06.08
- 다음글경북대, 시멘트 반응형 나노캡슐화 상변화물질 개발 23.06.08