나노기술 및 정책 정보

• 목록

● 김상훈 교수(울산대) 및 테루오 오노 교수(교토대) 공동 연구팀은 물질의 대칭성을 깨뜨려 비휘발성 메모리의 소비 전력을 획기적으로 감소시킬 기술을 개발

● 반도체 도핑 기술에 주로 사용되는 이온 주입 기술을 이용해 자석 물질 중 하나인 가돌리늄 코발트 합금의 면 방향 대칭성을 깨뜨려 전력 효율을 증대

● 또한, 현재 상용화된 MRAM의 다음 세대 기술로 전 세계적 연구가 집중되고 있는 스핀-오빗 토크 비휘발성램(Non-Volatile Random Access Memory, NVRAM)에서 가장 중요한 스핀 전류가 300% 이상 향상된 것을 관측

● 본 연구 결과는 메모리의 소비 전력 감소 및 배터리 효율 향상으로 차세대 메모리 시장에서 경쟁력을 가질 것으로 기대

Advanced Science (2023.02.19.), Bulk Rashba-Type Spin Splitting in Non-Centrosymmetric Artificial Superlattices