아주대, 반도체 핵심 기술 PIM 터널링 소자 개발
페이지 정보
- 발행기관
- 전자신문
- 저자
- 종류
- R&D
- 나노기술분류
- 나노정보전자
- 발행일
- 2023-04-11
- 조회
- 580
- 출처 URL
본문
● 서형탁 교수(아주대) 연구팀은 강유전성 초박막 소재의 나노 위상 분극 도메인 정보 저장 및 스위칭 제어 기술을 이용해 연산과 비메모리 기능이 통합된 PIM(processing-in-memory) 터널링 소자를 개발
● 연구팀은 PIM 신소자 개발을 위해 헤프늄-지르코늄 복합산화물(HfZrO: HZO)에 주목하여, 실리콘(Si) 기판 위에 헤프늄 산화물과 지르코니움 산화물을 나노레미네이트 방식의 플라즈마 원자층 증착 공정으로 순차적으로 번갈아 가며 증착
● 해당 터널링 소자는 80nsec의 쓰기 및 읽기 동작이 가능하며 온·오프 비율, 스위칭 반복성, 데이터 저장시간도 기존 소자 대비 향상
● 해당 소자는 기존의 플래시 메모리보다 빠르게 적은 에너지로 다양한 연산을 구현할 수 있어 인공지능 컴퓨팅과 빅데이터 처리 등에 폭넓게 활용될 전망
Small (2023.03.17.), Switchable Polar Nanotexture in Nanolaminates HfO2-ZrO2 for Ultrafast Logic-in-Memory Operations
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