나노기술 및 정책 정보

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● 홍웅기 박사(KBSI) 및 장훈수 박사(한국화학연구원) 공동 연구팀은 뇌신경의 신호 체계를 모방한 병렬 구조의 나노소자를 제작, 상전이 특성을 이용한 다중저항 스위칭 메모리 소자를 개발

● 금속-절연체 간 상전이를 일으키는 이산화바나듐을 전자들이 이동할 수 있는 600nm 길이의 통로로 활용하여, 여러 개의 단위 소자로 이루어진 병렬 구조로 제작

● 인간 뇌의 여러 개의 세포가 서로 이어져 있는 뉴런-시냅스 구조를 모방한 것으로, 이를 통해 0과 1의 이진법 기반의 컴퓨팅이 아닌 여러 가지의 저항 상태를 표현·저장할 수 있는 스위칭 메모리 소자 개발에 성공

● 개발된 메모리 소자는 향후 차세대 뉴모로픽 컴퓨팅 구현은 물론 자율주행, 사물인터넷(IoT), 인공지능(AI) 개발 등에 폭넓게 활용 것으로 기대

ACS Applied Materials & Interfaces (2023.02.14.), Modulation of Switching Characteristics in a Single VO2 Nanobeam with Interfacial Strain via the Interconnection of Multiple Nanoscale Channels