나노기술원, 중적외선 양자폭포레이저 에피웨이퍼 소재 국산화 플랫폼 구축
페이지 정보
- 발행기관
- 전자신문
- 저자
- 종류
- 산업
- 나노기술분류
- 나노공정·분석·장비
- 발행일
- 2023-01-26
- 조회
- 611
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본문
● 전동환 박사(한국나노기술원) 및 한일기 박사(한국과학기술연구원) 공동 연구팀은 국방·의료·통신에 활용되는 7㎛ 대역 중적외선 양자폭포레이저(QCL)용 인듐갈륨비소(InGaAs)·알루미늄인듐비소(AlInAs) 초격자 소재 에피웨이퍼를 금속유기화학기상증착법(MOCVD)으로 제작해 국산화에 성공
● 연구팀은 원자 수준 두께를 제어하는 화합물반도체 중적외선용 InGaAs·AlInAs 초격자 소재 에피웨이퍼를 각각 MOCVD 및 분자선 결정 성장 시스템(MBE) 방법으로 제작해 에피 소재 기술 플랫폼을 구축
● 개발된 MOCVD법에 의한 양자폭포레이저 에피 소재는 MBE 방법에 의한 소재와 유사한 성능의 0.4W 광출력과 7.67㎛ 파장이 측정돼 향후 관련 에피 소재 양산화 전망이 밝으며, 화합물반도체 에피 소재 시제품 지원 및 상용화로 수입대체 효과는 물론 관련 산학연 연구역량 증대와 사업화 촉진도 기대
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