나노기술 및 정책 정보

• 목록

● 산업통상자원부(산업부)는 ‘반도체 첨단패키징 산업 생태계 강화를 위한 MOU 체결식’을 개최

● 해당 체결식에서 노근창 센터장(현대차 증권)은 향후 2년 내 온디바이스에서도 HBM이 설치될 것이라 발표

● 센터장은 삼성전자와 SK하이닉스도 모바일 HBM 시대를 준비 중이라고 분석하며, 삼성전자는 LLW D램*과 VCS**를, SK하이닉스는 VFO***를 개발하는 중이라 설명

* LLW D램(Low Latency Wide I/O DRAM) : 입출력(I/O) 단자를 늘려 데이터를 송수신하는 통로인 대역폭을 높인 차세대 D램

** VCS(Vertical Cu post stack) 메모리 : LPDDR D램을 마치 HBM처럼 4층으로 적층한 제품

*** VFO(Vertical Wire Fan Out) : D램을 계단식으로 쌓아 기판(혹은 재배선층)에 수직 기둥 형태의 와이어로 연결한 기술

● 또한, 센터장은 임베디드 수요가 높아질 것이기 때문에 디바이스에서의 첨단 패키지 수요를 준비해야 하며, 더 좋은 성능으로, 더 저전력을 구현하면서, 발열은 적은 ‘그린 반도체’가 필요함을 강조

● 강운병 마스터(삼성전자)는 소프트웨어 단계에 있는 현재의 온디바이스 AI를 하드웨어적으로 구현하려면 데이터레이트가 몇 배 더 많아져야 한다고 말하며, 앞으로 몇 년 내에 나올 것을 대비해 준비되고 있다고 발표