나노기술 및 정책 정보

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● 노용영 교수 및 아오 리우 박사(포항공과대학교 화학공학과) 연구팀은 간단한 열증착 공정으로 황화비스무트(Bi2S3)로 고성능 N형 반도체와 텔루륨(Te) 고성능 P형 반도체 제작에 성공

● 연구팀은 황화비스무트를 이용하되, 기존에 알려졌던 용액공정이 아닌 물질을 고진공 상태에서 열로 승화시켜 발생한 증기를 기판에 부착시키는 열 증착 방식을 사용하여 반도체 박막을 제작

● 이를 기반으로 고성능 N형 박막트랜지스터를 구현했으며, 동일한 방식으로 텔루륨 고성능 P형 반도체 제작에도 성공

● 이 새로운 방식은 현재 대면적 8세대 OLED를 제조하는 열증착 공정을 이용하여 대면적으로도 만들 수 있고, 제조단가가 싸면서도 간단하고 친환경적인 공정이라는 점에서 OLED 디스플레이의 구동회로 및 다양한 반도체 회로에 활용될 것으로 기대

Nature Communications (2022.10.26.), Evaporated nanometer chalcogenide films for scalable high-performance complementary electronics