나노기술 및 정책 정보

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● 삼성전자 연구진은 기존 28㎚ 공정에서 자기터널접합(MTJ: magnetic tunnel junction)을 14㎚ 핀펫(FinFET) 공정으로 고도화해 성능을 대폭 향상시킨 내장형(e) M램 개발에 성공

● M램은 데이터처리 속도가 D램보다 10배 이상, 낸드플래시보다 1,000배 이상 빠르지만, 생산단가는 월등히 낮고 구조도 비교적 단순해 최대 2㎚까지 미세 공정이 가능한 완전체에 가까운 메모리이며, 수명도 사실상 영구적

● 이번 14㎚ 기반의 내장형 M램은 14nm 공정을 적용해, 28nm 기반 제품보다 면적을 33% 줄이고 읽기 시간을 2.6배 높임

● 삼성전자는 이번에 공개한 M램을 인공지능(AI), 빅데이터 분석 등에 활용할 계획