나노기술 및 정책 정보

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● 시지트로닉스는 국내 화합물반도체 분야의 난제인 무선통신 및 레이더용 고주파(RF) 전력 소자를 국산화하는 데 성공했다고 발표

● 강동민 실장(한국전자통신연구소 RF전력부품연구실) 연구팀으로부터 기술이전을 통해 300와트(W)급 질화갈륨(GaN) RF 고전자이동도 트랜지스터(HEMT) 동작 성능을 입증

● GaN은 차세대 반도체 핵심 소자로 꼽히는 물질로, 기존 반도체 소자로 쓰이는 실리콘(Si)에 비해 3배 이상 높은 항복전압으로 고전압 동작에 유리하며 별도의 에너지 저장공간이 요구되지 않아 고전압 전력 반도체에 적합한 한편, Si를 대체할 물질로 떠오른 갈륨비소(GaAs) 대비 전력밀도와 전력효율이 7배 이상 높음

● 시지트로닉스의 3000W급 GaN 전력 소자는 S-대역인 2~4기가헤르츠 주파수에서 동작하는데, 세계적으로 미국과 일본만 보유하고 있는 최신형 전투기의 핵심기술인 에이사(AESA) 레이더에 적용하는 등 방위산업 경쟁력 강화에 크게 기여할 것으로 전망

● 또한, 5세대 이동통신, 무선인터넷(WiFi), 블루투스 등에 활용되며, 가전산업 부문에서는 RF 오븐, 플라즈마 조명 및 반도체 장치용 고주파 발생기 등 신시장 활용 가능