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나노기술 및 정책 정보

삼성-토종 팹리스 기업 협력으로 속도 1만배 빠른 메모리 개발

페이지 정보

발행기관
한국경제
저자
 
종류
산업
나노기술분류
나노정보전자
발행일
2022-11-12
조회
761

본문

● 토종 팹리스 업체인 넷솔이 차세대 메모리반도체인 '스핀 주입형 자기메모리(STT-M·)'를 국내 최초로 개발

● 삼성전자의 파운드리 공정으로 생산해 반도체 분야에서 대기업과 중소기업의 협업을 통한 동반 성장 기회를 마련

● M램은 자성체 소자를 이용한 비휘발성 램으로, 플래시메모리보다 속도가 약 1만배 빠르고 거의 무한대의 내구성과 초저전력을 실현

● 최근 각종 정보통신(IT) 기술 발달로 데이터량이 급증해 전송 지연뿐 아니라 전력 문제가 불거지고 있는 상황에서 STT-MRAMIoT, 산업용, 의료, 자동차 시장 등 다양한 응용처에 최적의 대안이 될 것으로 기대