나노기술 및 정책 정보

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● 삼성전자가 세계 최초로 GAA(Gate-All-Around) 기술을 적용한 3나노(nm) 파운드리 공정 기반의 초도 양산을 시작

● 반도체 회로 선폭을 의미하는 3나노 공정은 반도체 제조 공정 가운데 가장 앞선 기술로, 회로 선폭을 미세화할수록 반도체 소비전력이 감소하고 처리 속도가 향상되는데 이번 3나노 공정에서 차세대 트랜지스터 구조인 GAA 신기술을 세계 최초로 적용하며 기술 혁신을 이룸.

● GAA 기술은 공정 미세화에 따른 트랜지스터의 성능 저하를 줄이고 데이터 처리 속도와 전력 효율을 높일 수 있어 기존 핀펫(FinFET) 기술에서 한 단계 진보된 차세대 반도체 핵심 기술로 꼽힘.

● 3나노 GAA 1세대 공정은 기존 5나노 핀펫 공정과 비교해 전력을 45% 절감하면서 성능은 23% 높이고, 반도체 면적을 16% 줄일 수 있으며, 특히, 내년에 도입될 예정인 3나노 GAA 2세대 공정은 전력 50% 절감, 성능 30% 향상, 면적 35% 축소 등의 성능을 예상

● 이번 3나노는 첨단 파운드리 극자외선(EUV) 공정이 적용되는 삼성전자 화성캠퍼스 S3 라인에서 생산되며, 고성능 컴퓨팅(HPC, High-Performance Computing)용 시스템 반도체 양산에 3나노 공정을 우선 적용하고 향후 모바일 시스템온칩(SoC) 등으로 확대한다는 방침

● 또한, 삼성전자는 시놉시스(Synopsys), 케이던스(Cadence) 등 SAFE(Samsung Advanced Foundry Ecosystem) 파트너들과 함께 3나노 공정 기반의 반도체 설계 인프라·서비스를 제공함으로써 빠른 시간 내에 제품 완성도를 높일 수 있도록 시스템을 강화해 나갈 계획