나노기술 및 정책 정보

• 목록

KAIST 물리학과 연구팀이 기존 금속 산화물 반도체 전계효과 트랜지스터(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor, MOSFET) 대비 작동전력 소모량이 10배 이상, 대기전력 소모량이 1만 배 가까이 적은 저전력, 고속 트랜지스터를 개발. 2차원 물질인 흑린(black phosphorus) 두께에 따라 밴드갭이 변하는 독특한 성질을 이용해 두 물질 접합이 아닌 단일 물질 두께 차이에 의한 이종접합 터널을 제작하는 데 성공. 이런 단일 물질 이종접합을 터널 트랜지스터에 활용하면 서로 다른 물질로 제작한 이종접합 트랜지스터에서 발생했던 격자 불균형, 결함, 계면 산화 등의 문제를 해결할 수 있어 고성능 터널 트랜지스터의 개발이 가능함. 본 연구성과는 ‘Nature Nanotechnology’ (“Thickness-controlled black phosphorus tunnel field-effect transistor fro low-power switches”)지에 게재되었으며, 한국연구재단 미래반도체신소자원천기술개발사업의 지원으로 수행됨.