나노기술 및 정책 정보

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● 한국나노기술원은 '초고속 통신용 인듐인(InP) 초전자이동도 트랜지스터(HEMT) 소자제조용 에피웨이퍼'를 금속유기화학기상증착법(MOCVD)으로 성장하는 기술을 개발 

● InGaAs(인듐갈륨비소) 채널 InP HEMT 전자소자는 현존하는 반도체 소재 중 가장 빠른 전자 이동도를 가지는 III-V 화합물반도체 특성을 가졌지만, 현재까지 화합물반도체 에피웨이퍼는 전량 수입에 의존했던 상황

● 연구팀이 개발한 소자는 순수 국내 기술로 이뤄냈으며, 소자 전기적 특성은 100㎚ 게이트 길이로 제작된 트랜지스터에서 작동 속도를 결정하는 차단주파수가 305㎓이고, 고주파 사용 영역을 결정하는 최대공진주파수는 455㎓로 세계적 수준