나노기술 및 정책 정보

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● 최신현 교수(한국과학기술원) 연구팀은 디램(DRAM) 및 낸드(NAND) 플래시 메모리를 대체할 수 있는 초저전력 상변화 메모리* 소자를 개발

* 상변화 메모리(Phase Change Memory) : 열을 사용하여 물질의 상태를 비정질과 결정질을 변경하여 저항 상태를 변경함으로써 정보를 저장하거나 처리하는 메모리 소자

● 연구팀은 상변화 물질을 전기적으로 극소 형성하는 방식으로 기존의 값비싼 초미세 노광공정을 이용한 상변환 메모리 소자보다 소비 전력이 15배 이상 작은 초저전력 상변환 메모리 소자를 구현

● 연구팀이 개발한 소자는 제조 비용과 에너지 효율을 개선했으며, 물질 선택이 자유로워 고집적 3차원 수직 메모리 및 뉴로모픽 컴퓨팅 시스템 등 미래 전자공학 기반에 응용될 것으로 기대

Nature (2024.04.03.), Phase-Change Memory via a Phase-Changeable Self-Confined Nano-Filament