나노기술 및 정책 정보

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● 곽정훈, 이수연, 유선규 교수(서울대) 및 배완기, 임재훈 교수(성균관대) 공동 연구팀은 코어-쉘 구조의 콜로이드 양자점을 이용한 저항변화 메모리 소자의 저항변화 메커니즘을 제시

● 연구팀은 단일 코어 구조와 단일 쉘 구조의 양자점을 각각 적용한 저항변화 메모리를 제작하고, 이를 실제 소자와 비교하여 양자점 저항변화 메모리의 스위칭 특성이 양자점의 최외각 표면에 존재하는 트랩 에너지 준위에 의해 나타남을 규명

● 연구팀이 개발한 양자점 저항변화 메모리는 시냅스의 복잡한 처리 및 기억 형성을 위해 요구되는 선형 자극에 우수한 성능을 보였으며, 이를 이용해 모사한 신경망은 EMNIST 데이터셋 추론에서 91.46%의 인식률 달성

● 해당 연구 결과는 콜로이드 양자점의 연구 분야를 디스플레이와 차세대 반도체까지 확장시켰으며, 양자점 저항변화 메모리는 광학적으로도 제어할 수 있어 광-전기 하이브리드 컴퓨팅을 위한 미래 핵심기술이 될 전망

Nano Letters (2024.05.01.), Memristive Switching Mechanism in Colloidal InP/ZnSe/ZnS Quantum Dot-Based Synaptic Devices for Neuromorphic Computing