나노기술 및 정책 정보

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● 삼성전자는 차세대 HBM인 HBM4의 로직 다이* 제작을 업계에서 예상한 7~8nm보다 훨씬 고도화한 공정인 최첨단 4nm 파운드리 공정에서 양산할 예정

* 로직 다이(Logic Die) : D램을 쌓아 만드는 HBM의 가장 밑단에 배치되는 핵심 부품으로 D램을 컨트롤하는 두뇌 역할

● 4nm 파운드리는 70%가 넘는 수율을 자랑하는 삼성전자의 간판 공정으로, 초미세 공정으로 고성능ㆍ저전력 HBM4를 생산해 SK하이닉스에 내준 HBM 패권을 되찾는다는 계획

● SK하이닉스 및 TSMC는 삼성전자에 대응하기 위해 HBM4 로직 다이 제작에 당초 계획했던 12nm 공정과 함께 5nm 공정도 병행하기로 결정