나노기술 및 정책 정보

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● 삼성전자는 현재 상용화된 가장 최신 세대의 D램 대비 1세대, 혹은 2세대 앞선 공정까지 설비투자를 고려하고 있는 상황에서, 올 연말까지 제2평택캠퍼스(P2)의 차세대 D램 라인 구축 방안을 결정할 계획

● 삼성은 올해 1b D램(5세대 10나노급 D램) 양산용 설비를 들이기 시작한 것으로 파악되며, P2 외에서도 1b D램에 대한 전환 투자가 진행되는 점을 고려하면 내년 초까지 월 10만 장 수준의 생산 능력을 확보할 것으로 전망

● 나아가 삼성은 1b D램 전환 뒤 남아있는 1z D램(3세대) 양산 라인을 1c(6세대) 혹은 1d(7세대)로 전환하는 등 P2에 1b D램을 이을 ‘차세대 D램’ 투자를 계획

● 삼성의 P2 설비투자 전환 계획은 최선단 D램의 개발 현황에 따라 달라질 전망