나노기술 및 정책 정보

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● 유정우 교수(울산과학기술원) 연구팀은 저전력으로 메모리에 데이터를 저장할 수 있는 M램*소자 구조를 개발

* M램 : 낸드플래시와 D램의 장점을 고루 갖추었고 낸드플래시처럼 전원을 꺼도 데이터가 날아가지 않는 비휘발성을 지니며 D램 수준으로 속도가 빠른 특징을 가진 차세대 메모리

● 연구팀은 그래핀이 자성 절연체인 YIG 이트륨 철 가넷 (Y3Fe5O12)과 강유전체인 폴리비닐리덴 플루오라이드(PVDF), 에틸렌(TrFE)을 중합시킨 PVDF-TrFE 고분자 사이에 끼어있는 구조로 메모리 소자를 개발

● 연구팀이 개발한 메모리 소자는 역에델스타인 효과, 강자성공명 현상 등과 같은 물리 이론이 적용되어 있고 전압 펄스만으로 메모리 정보를 쓸 수 있으며 전압 펄스를 가하면 그래핀에 흐르는 전류의 방향이 바뀌는 것이 특징

● 본 연구는 발열과 에너지 소모를 획기적으로 줄이고 기하급수적으로 늘어나는 AI 반도체 소자의 전력 소모 문제를 해결할 수 있는 단초를 제공할 것으로 기대

Nature Communications (2024.10.09.), Non-volatile Fermi level tuning for the control of spin-charge conversion at room temperature

※ 한국연구재단과 과학기술정보통신부의 나노소재기술개발사업 지원