나노기술 및 정책 정보

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● 삼성전자는 1c D램* 양산 투자를 시작하기 위해 최근 관련 협력사에 제조설비를 발주해 내년 2월까지 설치 작업에 돌입할 예정

* 1c D램 : 6세대 10나노급이며 회로 선폭은 11~12나노미터(nm) 수준인 D램

● 삼성전자는 1c D램이 차세대 HBM4 경쟁력을 좌우할 핵심 요소인 만큼, 제품을 본격 양산하기 위해 평택 제4캠퍼스(P4) 내 신규 D램 라인에 1c D램 양산용 설비투자를 진행하였고 램리서치 등 주요 장비업체의 설비가 내년 1분기부터 반입할 계획

● 삼성전자는 지난 3분기에 처음으로 1c D램의 ‘굿 다이’(Good die; 정상적으로 작동하는 칩)를 확보하는 등 가시적인 성과를 얻었으며, 당장의 투자 규모는 전체 D램 생산량 대비 그리 크지 않은 수준으로 추산되지만 안팎에서는 추가 투자에 대한 논의도 진행되는 걸로 확인

● 삼성전자의 1c D램은 차세대 HBM(고대역폭메모리)인 HBM4(6세대 HBM) 공급경쟁에서도 큰 의미를 가지며, 5세대 HBM인 HBM3E까지 1a(4세대) D램을 채용했으나 HBM4에서는 1c D램을 활용할 계획

● HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층한 메모리 구조이며 코어 다이인 D램의 성능이 차세대 HBM의 성능에 큰 영향을 미치기 때문에 삼성전자가 HBM4에 1c D램을 성공적으로 적용하는 경우, 차세대 HBM 시장에서 주도권을 회복할 수 있을 것으로 기대