KAIST, 실리콘 한계 넘는 양극성 반도체 소자 개발
페이지 정보
- 발행기관
- 베리타스알파
- 저자
- 종류
- R&D
- 나노기술분류
- 나노정보전자 > 나노융합 시스템반도체 및 전력소자
- 발행일
- 2024-12-30
- 조회
- 50
본문
● 이가영 교수(한국과학기술원) 연구팀은 인듐 셀레나이드(InSe) 기반 혁신적인 양극성 다기능 트랜지스터를 개발
● 연구팀은 인듐 셀레나이드 하부에 전극을 배치하고 금속-반도체 접합 특성을 개선하여 전자와 정공이 선택적으로 흐를 수 있는 양극성 특성을 구현하여 N형과 P형 트랜지스터에 모두 적용이 가능함을 입증
● 연구팀은 실험 결과, 전류 꺼짐/켜짐 비가 108 이하인 실리콘 반도체 대비 N형 및 P형 전류 꺼짐/켜짐 비가 모두 109 이상에 달하는 우수한 성능 확인
● 본 연구는 간단한 부분 게이트 구조를 도입해 하나의 소자에서 다양한 기능을 구현할 수 있는 다기능 소자를 제작하여 공정 효율성을 높이고 회로 설계 유연성 향상에 기여할 것으로 기대
Nano Letters (2024.12.18.), Superior P-Type Switching in InSe Nanosheets for Complementary Multifunctional Systems
- 이전글POSTECH-NIMS, 2차원 초전도 접합 기술 개발 25.01.07
- 다음글전남대, 이중 기전 mRNA 전달 나노입자 개발 25.01.07