나노기술 및 정책 정보

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● 삼성전자는 4nm 파운드리 공정을 통해 6세대 고대역폭메모리(HBM4)의 두뇌 역할을 하는 로직 다이* 시험 생산에 돌입

* 로직 다이 : D램을 쌓아 만드는 HBM의 가장 밑단에 배치되는 핵심 부품으로 겹겹이 적층된 D램을 제어하는 두뇌 역할을 담당

● 삼성전자는 D램을 단순히 이어붙인 뒤 고객사의 그래픽처리장치(GPU) 등과 연결하던 기존 HBM3E와 달리 HBM 최하단에 탑재되는 로직 다이에 파운드리 공정을 HBM4에 적용할 예정

● 삼성전자는 4nm 공정을 통하여 HBM 최대의 적인 발열 문제를 해결할 뿐만 아니라 성능 및 전력 효율 개선까지 기대

● 또한, 삼성전자는 HBM4 16단 제품 적층에도 새로운 공법인 하이브리드 본딩*을 적용할 계획

* 하이브리드 본딩 : 기존 칩을 연결하던 범프 없이 구리를 통해 칩을 쌓아, 칩 사이즈를 줄이면서 성능까지 높일 수 있는 공정