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나노기술 및 정책 정보

동국대, 양자점 기반 저항변화 메모리소자 개발

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발행기관
뉴스프리존
저자
 
종류
R&D
나노기술분류
나노정보전자 > 나노융합 지능형 소자(로직-메모리 융합소자)
발행일
2025-01-02
조회
31

본문

● 김성준·최민재 교수(동국대) 연구팀은 뉴로모픽 시스템*에 응용 가능한 양자점 기반 저항변화 메모리소자를 개발

* 뉴로모픽 시스템 : 인간의 신경망인 뉴런과 시냅스의 동작을 모방해 설계된 컴퓨터 시스템이나 하드웨어로 복잡한 데이터를 기존의 시스템보다 적은 에너지로 병렬 처리하는 구조의 시스템

● 연구팀은 얇은 High-K(고유전율) 물질을 추가하고 정교한 컨덕턴스 조절 알고리즘을 적용해 전력 소모량과 산포를 개선

● 또한, 양자점 소재가 빛에 반응하는 성질을 이용하면 추가로 동작 전압을 낮출 수 있다는 사실을 실험으로 검증

● 본 연구는 메모리 특성을 개선하여 향후 뉴로모픽 시스템의 기능을 향상시킬 것으로 기대   


Materials Horizons (2024.11.11.), Precise weight tuning in quantum dot-based resistive-switching memory for neuromorphic systems