DGIST-고려대 공동 연구팀, 핵(씨앗) 단계에서 도핑을 통한 반도체 나노결정 도핑법 개발
페이지 정보
- 발행기관
- 전자신문
- 저자
- 종류
- R&D
- 나노기술분류
- 나노정보전자 > 나노융합 시스템반도체 및 전력소자
- 발행일
- 2025-01-02
- 조회
- 27
- 출처 URL
본문
● 양지웅 교수(대구경북과학기술원) 및 Stefan Ringe 교수(고려대) 공동 연구팀은 반도체 나노결정의 성능을 높이기 위해 핵(씨앗) 단계에서 도핑을 제어하는 새로운 기술을 개발
● 연구팀은 나노클러스터 단계에서 도핑을 유도하는 핵생성 제어 도핑법을 개발했고 이를 활용해 아연 셀레나이드 클러스터(ZnSe) 반도체 나노결정에 안정적이고 정밀한 도핑을 구현
● 또한, 연구팀은 도판트 종류에 따라 도핑 과정과 위치가 달라지는 이유를 규명하였으며 기존의 II-VI 반도체 도핑 연구에 사용되는 중금속 카드뮴(Cd)을 쓰지 않고 나노결정에 적용 가능한 기술을 개발하는데 성공
● 본 연구는 나노결정 내 도핑 제어 기술을 체계적으로 정립해 차세대 디스플레이와 트랜지스터 같은 광전자 소자를 설계하고 제작하는데 사용될 것으로 전망
Small Science (2024.11.15.), Nucleation-Controlled Doping of II–VI Semiconductor Nanocrystals Mediated by Magic-Sized Cluster
- 이전글아주대-스탠포드대 공동 연구팀, 새로운 비정질 준금속 나노박막 물질 개발 25.01.13
- 다음글고려대, 계산 기하학을 활용 세포외기질(ECM) 시스템 해석 25.01.13