나노기술 및 정책 정보

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● 타키구치 코스케 대학원생(도쿄대) 연구팀은 비자성 반도체인 InAs 박막(두께 15nm)과 GaSb에 철을 첨가한 강자성 반도체 GaFeSb의 박막(두께 15nm)을 적층한 2층 헤테로 접합을 제작

● 본 구조에서 외부 자장의 방향을 반전시키면 전기 저항이 27%나 변화하는 자기 저항 효과를 발견

● 새로운 자기 저항은 비자성 반도체 박막의 측면에 전자가 흐르는 채널이 형성되고, 이 전도 전자는 비대칭적인 정전장과 인접한 강자성 반도체의 자화에 의해 발생

● 외장에 대한 거대한 응답 현상(저항의 큰 변화)을 반도체에서 실현했다는 점에서 큰 의의를 가짐과 동시에, 고감도 자기 센서 등 차세대 스핀트로닉스나 양자 디바이스에 응용 가능할 것으로 기대

Nature Communications (2022.11.09.), Giant gate-controlled odd-parity magnetoresistance in one-dimensional channels with a magnetic proximity effect