나노기술 및 정책 정보

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●네덜란드･스위스 공동 연구팀(Eindhoven University of Technology, IBM Research Europe)은 InP 기판 위에서 대규모 PbTe 나노와이어 네트워크를 대상으로 분자빔 에피택시(MBE)를 이용해 선택적 영역 성장(SAG)을 성공

●연구팀은 초기 성장 단계에서 결정 방향 조정을 통해 단결정 네트워크를 성장시켜, InP 기판과의 높은 격자불일치율(10.1%), 결정구조 상이 및 열팽창계수 발산 등의 문제를 극복

●이 소재는 최대 5,600 의 Hall 이동도와 저온 조건에서 21µm보다 긴 위상 결맞음길이를 보여 토폴로지 양자컴퓨팅 기술을 진일보시킬 것으로 기대

Advanced Functional Materials (2022.10.17.), Selective Area Growth of PbTe Nanowire Networks on InP