나노기술 및 정책 정보

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- 가오훙쥔 연구원(중국과학원) 연구팀은 자체 개발한 분자빔 증착(MBE), 저온 스캔 현미경 복합시스템을 이용하여 그래핀 실리콘층 삽입 기술의 업그레이드 실현, 단결정 루테늄과 로듐 기질 표면에서 대면적·고품질·단결정·단층 Si₉C₁₅을 합성

- 연구팀은 단결정 금속 루테늄 및 로듐 표면에서 고품질의 단층 그래핀을 성장시킨 후, 그래핀 위에 과량의 실리콘을 침적, 1400K 고온에서 센티미터 수준의 단층 탄화규소 물질을 획득

- 또한, 주사 터널링 현미경(STM), X레이 광전자 분광(XPS), 주사 투과 전자 현미경(STEM) 측정 및 밀도 함수 이론(DFT) 계산을 통해 Si₉C₁₅의 2D 격자가 버클형 벌집 구조임을 확정

Advanced Materials (2022.07.11.), Experimental Realization of Atomic Monolayer Si9C15