나노기술 및 정책 정보

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● 오스트리아 Vienna Technical University Masar Sistani 교수 연구팀은 양자 정보 기술에 활용될 수 있는 나노구조의 새로운 금속 기반 전자 부품 개발 

● 순수한 나노 단위 구조의 게르마늄은 특별한 제조 공정을 사용하여 원자적-날카로운(atomically sharp) 인터페이스를 형성하는 방식으로 알루미늄과 결합되며 이는 단일 금속-반도체-이형구조를 초래

● 단일 금속-반도체-이형구조는 저온에서 특성이 뚜렷하게 나타나며, 알루미늄은 초전도성을 띠게 되고, 이러한 특성은 나노와이어로 연결된 인접한 게르마늄 반도체로 전달되어 전기장을 이용해 제어가 가능하며 이는 양자 단위의 비트 처리와 같은 양자 기술의 복잡한 응용에 적합

● 단일 금속-반도체-금속 이형구조가 만들어지는 방식을 활용하면 새로운 기술을 개발할 필요가 없으며, 잘 확립된 반도체 제조 기술을 활용함으로써, 게르마늄 기반 양자 전자 장치를 사용 가능  

※ Advanced Materials 게재, “Al–Ge–Al Nanowire Heterostructure: From Single-Hole Quantum Dot to Josephson Effect”