나노기술 및 정책 정보

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● 중국 저장대학교 연구팀은 고성능화된 산화 갈륨 단결정(gallium oxide single crystal) 기판 개발

● 연구팀이 개발한 산화 갈륨 단결정 기판은 반절연에 속하며 표면의 거친 정도는 0.5nm보다 작고, 피크 폭은 47.5arcsec, 결정의 품질은 우수한 것으로 나타났으며, 기술 수준은 해당 분야 선진 수준에 도달한 것으로 확인 

● 실리콘 소재는 반도체 분야에서 자주 사용되는 소재지만, 성능은 이론적 한계에 도달했으며, 와이드 밴드-갭 반도체(Wide band gap semiconductor)는 성능이 더욱 우수한 디바이스를 제조할 수 있는 잠재력 보유

● 연구팀은 와이드 밴드-갭 반도체 소재, 파워 칩 연구개발과 산업화를 추진하고 있으며, 패키지 측정 테스트를 기반으로 와이드 밴드-갭 반도체 소재 성장, 와이드 밴드-갭 반도체 파워 칩에 대한 신형 구조 디자인, 선진 공법 기술 개발 등 관련 기술 응용을 진행하여 현재 중국이 반도체 분야에서 직면한 보틀넥 기술 난제 해결을 추진 중