EU 2D 재료를 도핑하여 P형 또는 N형 반도체로 전환하는 기술 개발
페이지 정보
- 발행기관
- Nanowerk
- 저자
- 종류
- R&D
- 나노기술분류
- 발행일
- 2021-06-29
- 조회
- 1,735
- 출처 URL
본문
● 독일 Helmholtz-Zentrum Dresden-Rossendorf의 Slawomir Prucnal 박사와 Chemnitz University of Technology의 Dietrich Zahn 교수 공동 연구진이 특수 커버 레이어를 이용하여 전이금속 디칼코게나이드 물질인 molybdenum diselenide (MoSe2)에 chloride ion을 도핑하는 기술을 개발
● 2D 재료를 반도체로 사용하기 위해서는 외부 원자를 결정 내로 주입하는 도핑과정이 필요한데 몇 개의 원자층으로 구성되는 2D 재료에서는 이러한 도핑과정의 제어가 곤란
● 연구진은 특수한 커버 레이어를 이용하여 도핑 과정을 정밀하게 제어할 수 있는 기술 개발
● 현재의 회로는 전류로 통신을 하나 2D 재료를 이용한 회로의 경우 광자의 흐름, 즉 빛으로 통신을 할 수 있어 이러한 나노 광전자 장치는 속도가 훨씬 빠를 뿐만 아니라 적은 에너지를 필요로 하며 열로 방출되는 손실이 적음.
※ Nanoscale 게재(2021.02.22., on-line), "Chlorine doping of MoSe2 flakes by ion implantation”
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