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National Nanotechnology Policy Center

나노기술 및 정책 정보

EU 2D 재료를 도핑하여 P형 또는 N형 반도체로 전환하는 기술 개발

페이지 정보

발행기관
Nanowerk
저자
 
종류
R&D
나노기술분류
 
발행일
2021-06-29
조회
1,735

본문

● 독일 Helmholtz-Zentrum Dresden-RossendorfSlawomir Prucnal 박사와 Chemnitz University of TechnologyDietrich Zahn 교수 공동 연구진이 특수 커버 레이어를 이용하여 전이금속 디칼코게나이드 물질인 molybdenum diselenide (MoSe2)chloride ion을 도핑하는 기술을 개발

● 2D 재료를 반도체로 사용하기 위해서는 외부 원자를 결정 내로 주입하는 도핑과정이 필요한데 몇 개의 원자층으로 구성되는 2D 재료에서는 이러한 도핑과정의 제어가 곤란

 연구진은 특수한 커버 레이어를 이용하여 도핑 과정을 정밀하게 제어할 수 있는 기술 개발

 현재의 회로는 전류로 통신을 하나 2D 재료를 이용한 회로의 경우 광자의 흐름, 즉 빛으로 통신을 할 수 있어 이러한 나노 광전자 장치는 속도가 훨씬 빠를 뿐만 아니라 적은 에너지를 필요로 하며 열로 방출되는 손실이 적음.


Nanoscale 게재(2021.02.22., on-line), "Chlorine doping of MoSe2 flakes by ion implantation”