일본 1V로 동작하는 고성능 박막 트랜지스터를 인쇄로 제작
페이지 정보
- 발행기관
- 물질·재료연구기구
- 저자
- 종류
- R&D
- 나노기술분류
- 발행일
- 2021-05-27
- 조회
- 1,778
- 출처 URL
본문
물질·재료연구기구(NIMS), 중국 정저우(鄭州)대학, 중국과학원, C-INK 등의 공동 연구팀이‘저온 소결 도포형 실리카(LCSS)’를 개발하여 고성능 인쇄 박막 트랜지스터(TFT)와 소자를 연결하는 3차원 인쇄 배선의 형성을 가능하게 함. LCSS는 열에 약한 재료에도 형성할 수 있기 때문에 플렉시블 재료에도 적용이 가능하여 웨어러블 디바이스로 응용될 것으로 기대됨.
본 연구 성과는 Small Methods(Layer-By-Layer Printing Strategy for High-Performance Flexible Electronic Devices with Low-Temperature Catalyzed Solution-Processed SiO2)에 게재됨.
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