미국 마이크론, EUV 없이 4세대 D램 양산
페이지 정보
- 발행기관
- 조선일보
- 저자
- 종류
- 산업
- 나노기술분류
- 발행일
- 2021-06-08
- 조회
- 1,948
본문
미국 반도체 기업 마이크론이 D램 가운데서는 회로 선폭이 가장 좁은 것으로 알려진 10nm급 4세대(1α) D램의 양산을 공식 발표함.
마이크론은 4세대 D램 개발·양산에 반도체 미세공정의 핵심으로 여겨지는 극자외선(EUV) 노광장비도 사용하지 않았으며, 이달 안으로 대만 타이중(台中市)에 16조원을 더 투자해, D램을 위한 생산라인을 추가하여, A3 팹(공장) 규모를 계획보다 증대시킬 계획이며, 12인치(300mm) 웨이퍼 기준으로 한 달에 5만~6만장을 더 생산할 계획을 세움.
- 이전글초박형 탄소나노튜브필름을 이용한 테라헤르츠 편광 회전 성능 향상 21.06.14
- 다음글초저전압으로 물을 분해하는 고활성 산소 발생 촉매 전극을 개발 21.06.08