나노기술 및 정책 정보

• 목록

중국과학원 원사(院士)이며 중국과학원 물리 연구소 산하 "베이징(北京, 북경) 응집물질물리 국가 연구 센터" 연구원인 까오훙쥔(高鴻鈞, 고홍균) 박사 연구팀이 2차원 반데르발스(Van der waals) 이종접합 원자 레벨의 예리한 인터페이스 및 강화된 인터페이스 커플링 특성을 이용하여 상용화 디바이스 구조를 수정할 필요가 없이 최초로 초고속, 비휘발성 플로팅 그레이팅(floating grating) 메모리를 개발함.

해당 연구 성과로 개발된 메모리는 나노초 레벨(~20 ns)의 읽기와 쓰기 시간(기존 상용화 플래시 메모리 디바이스는 100 마이크로초(ms)에 달함)을 보여주며, 극히 높은 지우기/기록 비례(~1010)와 극히 긴 저장 시간(10년 이상)을 보유하고 있는 것으로 나타남.

원자 레벨의 예리한 인터페이스에 기반한 반데르발스(Van der waals) 이종접합의 초고속 플로팅 그레이팅(floating grating) 메모리는 미래 응용 면에서 주로 고품질, 대 면적 h-BN과 2차원 원자 결정체 채널 소재의 외연 성장 및 집적 디바이스 개발을 어떻게 추진할 것인지 귀추가 주목됨.

본 연구 성과는 ‘Nature Nanotechnology’("Atomically sharp interface enabled ultrahigh-speed, nonvolatile memory device")지에 게재됨.