나노기술 및 정책 정보

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최근 년 간 중국에서 국산화 대체 트렌드가 더욱 뚜렷해짐에 따라 3세대 반도체 산업도 새로운 발전 단계에 진입하고 있는 상황이며, 중국 정부는 "국가 14차 5개년(2021-2025년) 계획"에서 3세대 반도체 산업을 국가 집적회로 산업 발전의 중점 방향으로 확정하고 중국 내 반도체 생태계를 구축하는 면에서의 정책적 지원을 강화하기로 확정함.

이런 상황에서 중국 내 반도체 업체들은 3세대 반도체 산업 배치를 강화하고 있으며, 중국 정부의 정책 지원이 강화되고 있는 기회를 활용하여 관련 영향력을 확대하고자 다음과 같은 내용을 추진함.

- 우수 인재를 유치하고, 연구개발에 대한 투입을 강화하며, 제품 시스템을 완벽히 구축함

- 산업체인 배치를 가속화하는 동시에 특히 국산 실리콘 카바이드 디바이스(Silicon carbide devices) 국산화 대체를 추진하고, 파워 반도체(Power semiconductor) 기술 업그레이드를 강화하여 중국 반도체 산업의 신속한 발전을 추진함

실리콘 카바이드 디바이스(Silicon carbide devices)는 높은 경도, 높은 취성과 낮은 균열 인성(fracture toughness) 등 물리 특성을 보유하고 있기 때문에 공법 디자인 면에서 여러 가지 난제에 직면하여 있는 상황이며, 1세대 반도체인 실리콘에 비해 실리콘 카바이드의 경도가 매우 큰데 소재 경도는 9.5로서 다이아몬드에 버금가기 때문에 실리콘 카바이드는 절단이 까다롭고, 식각, 홈 등 공정에서 어려움이 많고, 연마 가공 시에도 소재의 취성 때문에 균열되거나 심각한 표면 손상을 발생시켜 가공의 정밀도에 영향을 끼치고 있는 상황임.

"어떻게 하면 실리콘 카바이드 디바이스(Silicon carbide devices) 기술 난제를 해결할 것인가"는 생산 효율성을 향상시키고 원가를 낮추는데 있어서 큰 의미가 있는 상황이며, 실리콘 카바이드 디바이스 기술 난제 해결은 반도체 업계의 연구개발 중점 방향이 되고 있는 상황임.

5G, 신에너지 자동차 산업의 지속적인 발전에 따라 실리콘 카바이드 디바이스(Silicon carbide devices), 파워 디바이스는 더욱 폭넓게 응용되고 있는 상황이며, 신에너지 자동차 수요량이 대규모로 증가됨에 따라 모터 제어 장치에 필요한 실리콘 카바이드 디바이스, 파워 디바이스 수요량이 폭발적으로 증가하고 있으며, 중국은 국산 반도체 산업을 육성하고 발전시킬 수 있는 중요한 기회에 직면한 상황이며, 향후 5년간 중국 정부는 실리콘 카바이드를 핵심으로 하는 3세대 반도체 산업 육성과 발전을 중점적으로 추진하게 될 것으로 전망됨.